适用于栅极驱动的高隔离DC/DC转换器

DC/AC逆变器通常浮空几百电压。典型的隔离电压至少是工作电压的两倍。考虑到高开关速度和高浮空电压,需要高隔离转换器来驱动栅极驱动器,要保持高效率就需要高开关速度。光耦合器隔离控制信号,但还是需要在电源端有隔离层。无论IGBT、SiC MOSFET或GaN,RECOM的DC / DC转换器用于栅极驱动器是能延长这些DC/AC逆变器的寿命和可靠性的简易替换组件。

 

“在我们的合作伙伴生态系统当中,RECOM一直是最活跃、提供最多支持的公司之一。他们的电源模块是让我们快速地设计评估平台的主要原因,这样我们就可以将精力放在其他的设计上。”

 

IGBT
SiC
GaN
紧湊型SIP7封装的RxxP2xx、RxxPxx、RP、RH & RKZ系列 紧湊型SIP7封装的RxxP21503D, RxxP22005D和RKZ-xx2005D系列 紧湊型DIP14, DIP24和SIP7封装的RJZ, RK, RP, RV, RxxPxx, RxxP2xx系列
薄型DIP14封装RV & RGZ系列和迷你型DIP24封装 +15/-3V和+20/-5V输出 +6V或+9V 输出
+15/-9V输出 6.4kVDC隔离 6.4kVDC隔离
高达6.4kVDC隔离 5V、12V、15V或24V输入 5V、12V、15V或24V输入
5V、12V或24V输入 2W 额定输出功率 1W, 2W 额定输出功率 (3W for RA3)
1W或2W 额定输出功率 对称功率或不对称电流输出 83%效率
对称功率 87%效率 +90°C工作温度
86%效率 +90°C工作温度 EN/IEC/UL认证
+90°C工作温度 EN/IEC/UL认证 三年质量保证
EN认证 三年质量保证
三年质量保证

 

参考设计
适用于IGBT、SiC和GaN晶体管的通用半桥参考设计

 

IGBT

RECOM的RH、RV、RP、RGZ、RKZ、RxxPxx和RxxP2xx DC/DC转换器系列是专为IGBT驱动电路所设计的。转换器具有+15V和-9V的非对称输出,使它们非常适合IGBT驱动器。以前需要两个转换器,而现在只需要一个。为了满足不同IGBT应用的需求,RECOM提供各种引脚和封装(SIP/DIP)的选择。

系列要点
RGZ-xx1509
  • 2 W 单路和双路输出,采用 DIP14 封装
  • 3 kVDC 或 4 kVDC 隔离电压
  • 连续短路保护(可选)
  • 提供定制解决方案
  • UL94V-0 封装材料
  • 效率最高可达 85%
  • 适用于 IGBT 应用
RH-xx1509
  • 3kVDC/1 s 或 4 kVDC/1 s 隔离电压
  • 连续短路保护(可选)
  • UL94V-0 封装材料
  • 效率最高可达 84%
  • 适用于 IGBT 应用
RKZ-xx1509
  • 高隔离 2 W 转换器
  • 3 kVDC/1 s 和 4 kVDC/1 s 基本隔离电压
  • UL94V-0 封装材料
  • 连续短路保护(可选)
  • 效率最高可达 84%
  • 适用于 IGBT 应用
RP-xx1509
  • 独立绕组的壶形铁芯变压器
  • 虽然尺寸小巧,但具有高达 5.2 kVDC/1 s 的基本隔离
  • 连续短路保护(可选)
  • 效率最高可达 82%
  • 引脚与 RH 和 RK 系列兼容
  • 适用于 IGBT 应用
  • 通过 IEC/EN/UL/CSA 60950-1 认证
RV-xx1509
  • 已通过 UL/CSA 和 EN-60950-1 安全认证
  • 符合 EN-60601 医疗应用标准
  • 6 kVDC 隔离电压
  • 连续短路保护(可选)
  • 效率最高可达 82%
  • 节省空间的“纤薄 DIP”封装
  • 极低的隔离电容
  • 适用于 IGBT 应用
RxxC2Txx
  • 2w隔离型DC/DC转换器
  • 可编程的非对称输出电压
  • 适用于IGBT/Si/SiC/GaN栅极驱动的偏置电压
  • 3kVAC/1min高隔离
  • 125°C时0.5 w
  • 隔离电容小于3.5pF
  • 紧凑的7.5×12.83mm SMD封装
  • 3年质量保证
RxxP1509
  • 通过 UL/CSA 和 EN 安全认证
  • 符合 EN-60601 医疗应用标准
  • 隔离电压为 6.4 kVDC
  • 连续短路保护(可选)
  • /X2 选项,适用于输入/输出间隙 >9 mm 的应用
  • 适用于 IGBT 应用
RxxP21509
  • +20/-5 V 和 +15/-3 V 非对称输出,适用于 SiC 驱动器应用
  • 符合共模电压为 1 KV 时的 65 kV/μs 要求
  • +15/-9 V 非对称输出,适用于 IGBT 驱动器应用
  • 具有独立绕组的壶形铁芯变压器
  • 6.4 kVDC 高隔离,尺寸紧凑的 SIP7 封装
  • 低隔离电容(最高为 10 pF)
  • 连续短路保护(可选)
  • 通过 IEC/EN62368-1 认证,UL 认证申请中

 

SiC

开关SiC MOSFET所需的导通电压和关断电压对其他的IGBT或MOSFET应用来说是不常见的。RxxP22005D和RKZ-2005D系列具备+20V和-5V非对称输出,可高效地驱动SiC MOSFET。而RxxP21503D系列提供的+15V和-3V非对称输出,则适用于第二代的SiC MOSFET。

系列要点
RA3
  • 3 W 隔离式 DC/DC 转换器
  • 5.2 kVDC/1 min 的高隔离电压
  • 宽工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  • IGBT/Si/SiC/GaN 栅极驱动电源的理想选择
  • 已获得 IEC/EN/UL CSA 62368-1 认证
  • 隔离电容小于 10pF
  • 紧凑型 DIP16 SMD 封装
RKZ-xx2005
  • 功率共享
  • 每秒 3 kVDC 和 4 kVDC 的高隔离
  • 效率最高可达 87%
  • -40°C 至 +85°C 的宽范围工作温度
  • 通过 UL60950 认证
  • 通过 IEC/EN60950-1 认证
RxxC2Txx
  • 2w隔离型DC/DC转换器
  • 可编程的非对称输出电压
  • 适用于IGBT/Si/SiC/GaN栅极驱动的偏置电压
  • 3kVAC/1min高隔离
  • 125°C时0.5 w
  • 隔离电容小于3.5pF
  • 紧凑的7.5×12.83mm SMD封装
  • 3年质量保证
RxxP21503
  • +20/-5 V 和 +15/-3 V 非对称输出,适用于 SiC 驱动器应用
  • 符合共模电压为 1 KV 时的 65 kV/μs 要求
  • +15/-9 V 非对称输出,适用于 IGBT 驱动器应用
  • 具有独立绕组的壶形铁芯变压器
  • 6.4 kVDC 高隔离,尺寸紧凑的 SIP7 封装
  • 低隔离电容(最高为 10 pF)
  • 连续短路保护(可选)
  • 通过 IEC/EN62368-1 认证,UL 认证申请中
RxxP22005
  • +20/-5 V 和 +15/-3 V 非对称输出,适用于 SiC 驱动器应用
  • 符合共模电压为 1 KV 时的 65 kV/μs 要求
  • +15/-9 V 非对称输出,适用于 IGBT 驱动器应用
  • 具有独立绕组的壶形铁芯变压器
  • 6.4 kVDC 高隔离,尺寸紧凑的 SIP7 封装
  • 低隔离电容(最高为 10 pF)
  • 连续短路保护(可选)
  • 通过 IEC/EN62368-1 认证,UL 认证申请中

 

您需要更多信息?


使用IGBT和SIC MOSFET来设计可靠耐用之晶体管电路
本白皮书分享减少故障原因和简化设计的指南及建议,同时附上应用示例,以帮助您更好地理解。

 

GaN

高转换速率的GaN晶体管驱动器使用具有高隔离电压和低隔离电容的RECOM RP-xx06S和RxxP06S DC/DC转换器系列,可在+6V达到最佳的切换性能。RECOM考虑到一些有较高噪声和干扰的GaN应用,设计出+9V输出的转换器,通过齐纳二极管将电路分成+6V和-3V以在关断时提供负栅极电压,从而确保栅极电压保持低于开启阈值。

系列要点
RA3
  • 3 W 隔离式 DC/DC 转换器
  • 5.2 kVDC/1 min 的高隔离电压
  • 宽工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  • IGBT/Si/SiC/GaN 栅极驱动电源的理想选择
  • 已获得 IEC/EN/UL CSA 62368-1 认证
  • 隔离电容小于 10pF
  • 紧凑型 DIP16 SMD 封装
RJZ
  • 2 W 单路和双路输出,采用 DIP14 封装
  • 3kVDC/1 s 或 4 kVDC/1 s 隔离电压
  • 连续短路保护(可选)
  • UL94V-0 封装材料
  • 效率最高可达 85%
  • 适用于 IGBT 应用
RK
  • 3kVDC/1 s 或 4 kVDC/1 s 隔离电压
  • 连续短路保护(可选)
  • UL94V-0 封装材料
  • 效率最高可达 84%
  • 适用于 IGBT 应用
RP
  • 独立绕组的壶形铁芯变压器
  • 虽然尺寸小巧,但具有高达 5.2 kVDC/1 s 的基本隔离
  • 连续短路保护(可选)
  • 效率最高可达 82%
  • 引脚与 RH 和 RK 系列兼容
  • 适用于 IGBT 应用
  • 通过 IEC/EN/UL/CSA 60950-1 认证
RP-xx06
  • 6 V 输出,适用于 GaN 驱动器应用
  • 具有独立绕组的壶形铁芯变压器
  • 5.2 kVDC 高隔离,尺寸紧凑
  • 低隔离电容(最高为 10 pF)
  • 通过 UL 和 EN 认证
RV
  • 通过 UL/CSA/IEC/EN 安全认证并获得 CB 报告
  • 6 kVDC/1 s 隔离电压
  • 连续短路保护(可选)
  • 效率最高可达 82%
  • 节省空间封装
  • 极低的隔离电容
  • 适用于 IGBT 应用
RxxP06
  • 6 V 输出,适用于 GaN 驱动器应用
  • 具有独立绕组的壶形铁芯变压器
  • 5.2 kVDC 高隔离,尺寸紧凑
  • 低隔离电容(最高为 10 pF)
  • 通过 UL/IEC/EN62368-1、IEC/EN60950-1 认证
RxxP2xx
  • 符合共模电压为 1 KV 时的 65 kV/μs 要求
  • 隔离电压为 6.4 kVDC
  • 连续短路保护(可选)
  • 独特的变压器系统
  • 紧凑型 SIP7 封装
  • /X2 型号的输入/输出间隙 > 9 mm
  • 极低的隔离电容
RxxPxx
  • 通过 UL/CSA 和 IEC/EN 安全认证
  • 6.4 kVDC 高隔离
  • 连续短路保护(可选)
  • /X2 型号的输入/输出间隙 > 9 mm
  • 适用于 IGBT 应用
选型指南

RECOM 选型指南

本产品选型指南包含我们最受欢迎的各种产品。

找不到您需要的产品?
用参数查询我们的产品、了解客户定制的解决方案,或找您附近的销售联系人

参数查询

根据关键规格标准查找产品

定制的

我们收购了定制电源专家PCS

联系销售

对于您所在地区的相关销售咨询