DC/AC逆变器通常浮空几百电压。典型的隔离电压至少是工作电压的两倍。考虑到高开关速度和高浮空电压,需要高隔离转换器来驱动栅极驱动器,要保持高效率就需要高开关速度。光耦合器隔离控制信号,但还是需要在电源端有隔离层。无论IGBT、SiC MOSFET或GaN,RECOM的DC / DC转换器用于栅极驱动器是能延长这些DC/AC逆变器的寿命和可靠性的简易替换组件。
“在我们的合作伙伴生态系统当中,RECOM一直是最活跃、提供最多支持的公司之一。他们的电源模块是让我们快速地设计评估平台的主要原因,这样我们就可以将精力放在其他的设计上。”
IGBT |
SiC |
GaN |
紧湊型SIP7封装的RxxP2xx、RxxPxx、RP、RH & RKZ系列 | 紧湊型SIP7封装的RxxP21503D, RxxP22005D和RKZ-xx2005D系列 | 紧湊型DIP14, DIP24和SIP7封装的RJZ, RK, RP, RV, RxxPxx, RxxP2xx系列 |
薄型DIP14封装RV & RGZ系列和迷你型DIP24封装 | +15/-3V和+20/-5V输出 | +6V或+9V 输出 |
+15/-9V输出 | 6.4kVDC隔离 | 6.4kVDC隔离 |
高达6.4kVDC隔离 | 5V、12V、15V或24V输入 | 5V、12V、15V或24V输入 |
5V、12V或24V输入 | 2W 额定输出功率 | 1W, 2W 额定输出功率 (3W for RA3) |
1W或2W 额定输出功率 | 对称功率或不对称电流输出 | 83%效率 |
对称功率 | 87%效率 | +90°C工作温度 |
86%效率 | +90°C工作温度 | EN/IEC/UL认证 |
+90°C工作温度 | EN/IEC/UL认证 | 三年质量保证 |
EN认证 | 三年质量保证 | |
三年质量保证 |
参考设计
适用于IGBT、SiC和GaN晶体管的通用半桥参考设计
RECOM的RH、RV、RP、RGZ、RKZ、RxxPxx和RxxP2xx DC/DC转换器系列是专为IGBT驱动电路所设计的。转换器具有+15V和-9V的非对称输出,使它们非常适合IGBT驱动器。以前需要两个转换器,而现在只需要一个。为了满足不同IGBT应用的需求,RECOM提供各种引脚和封装(SIP/DIP)的选择。
系列 | 要点 | |
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RGZ-xx1509 |
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RH-xx1509 |
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RKZ-xx1509 |
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RP-xx1509 |
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RV-xx1509 |
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RxxC2Txx |
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RxxP1509 |
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RxxP21509 |
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开关SiC MOSFET所需的导通电压和关断电压对其他的IGBT或MOSFET应用来说是不常见的。RxxP22005D和RKZ-2005D系列具备+20V和-5V非对称输出,可高效地驱动SiC MOSFET。而RxxP21503D系列提供的+15V和-3V非对称输出,则适用于第二代的SiC MOSFET。
系列 | 要点 | |
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RA3 |
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RKZ-xx2005 |
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RxxC2Txx |
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RxxP21503 |
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RxxP22005 |
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使用IGBT和SIC MOSFET来设计可靠耐用之晶体管电路
本白皮书分享减少故障原因和简化设计的指南及建议,同时附上应用示例,以帮助您更好地理解。
高转换速率的GaN晶体管驱动器使用具有高隔离电压和低隔离电容的RECOM RP-xx06S和RxxP06S DC/DC转换器系列,可在+6V达到最佳的切换性能。RECOM考虑到一些有较高噪声和干扰的GaN应用,设计出+9V输出的转换器,通过齐纳二极管将电路分成+6V和-3V以在关断时提供负栅极电压,从而确保栅极电压保持低于开启阈值。
系列 | 要点 | |
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RA3 |
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RJZ |
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RK |
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RP |
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RP-xx06 |
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RV |
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RxxP06 |
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RxxP2xx |
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RxxPxx |
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