适用于栅极驱动的高隔离DC/DC转换器

DC/AC逆变器通常浮空几百电压。典型的隔离电压至少是工作电压的两倍。考虑到高开关速度和高浮空电压，需要高隔离转换器来驱动栅极驱动器，要保持高效率就需要高开关速度。光耦合器隔离控制信号，但还是需要在电源端有隔离层。无论IGBT、SiC MOSFET或GaN，RECOM的DC / DC转换器用于栅极驱动器是能延长这些DC/AC逆变器的寿命和可靠性的简易替换组件。

“在我们的合作伙伴生态系统当中，RECOM一直是最活跃、提供最多支持的公司之一。他们的电源模块是让我们快速地设计评估平台的主要原因，这样我们就可以将精力放在其他的设计上。”

参考设计
适用于IGBT、SiC和GaN晶体管的通用半桥参考设计

IGBT

RECOM的RH、RV、RP、RGZ、RKZ、RxxPxx和RxxP2xx DC/DC转换器系列是专为IGBT驱动电路所设计的。转换器具有+15V和-9V的非对称输出，使它们非常适合IGBT驱动器。以前需要两个转换器，而现在只需要一个。为了满足不同IGBT应用的需求，RECOM提供各种引脚和封装（SIP/DIP）的选择。

	系列	要点
	RGZ-xx1509	2 W 单路和双路输出，采用 DIP14 封装 3 kVDC 或 4 kVDC 隔离电压 连续短路保护（可选） 提供定制解决方案 UL94V-0 封装材料 效率最高可达 85% 适用于 IGBT 应用
	RH-xx1509	3kVDC/1 s 或 4 kVDC/1 s 隔离电压 连续短路保护（可选） UL94V-0 封装材料 效率最高可达 84% 适用于 IGBT 应用
	RKZ-xx1509	高隔离 2 W 转换器 3 kVDC/1 s 和 4 kVDC/1 s 基本隔离电压 UL94V-0 封装材料 连续短路保护（可选） 效率最高可达 84% 适用于 IGBT 应用
	RP-xx1509	独立绕组的壶形铁芯变压器 虽然尺寸小巧，但具有高达 5.2 kVDC/1 s 的基本隔离 连续短路保护（可选） 效率最高可达 82% 引脚与 RH 和 RK 系列兼容 适用于 IGBT 应用 通过 IEC/EN/UL/CSA 60950-1 认证
	RV-xx1509	已通过 UL/CSA 和 EN-60950-1 安全认证 符合 EN-60601 医疗应用标准 6 kVDC 隔离电压 连续短路保护（可选） 效率最高可达 82% 节省空间的“纤薄 DIP”封装 极低的隔离电容 适用于 IGBT 应用
	RxxC2Txx	2w隔离型DC/DC转换器 可编程的非对称输出电压 适用于IGBT/Si/SiC/GaN栅极驱动的偏置电压 3kVAC/1min高隔离 125°C时0.5 w 隔离电容小于3.5pF 紧凑的7.5×12.83mm SMD封装 3年质量保证
	RxxP1509	通过 UL/CSA 和 EN 安全认证 符合 EN-60601 医疗应用标准 隔离电压为 6.4 kVDC 连续短路保护（可选） /X2 选项，适用于输入/输出间隙 >9 mm 的应用 适用于 IGBT 应用
	RxxP21509	+20/-5 V 和 +15/-3 V 非对称输出，适用于 SiC 驱动器应用 符合共模电压为 1 KV 时的 65 kV/μs 要求 +15/-9 V 非对称输出，适用于 IGBT 驱动器应用 具有独立绕组的壶形铁芯变压器 6.4 kVDC 高隔离，尺寸紧凑的 SIP7 封装 低隔离电容（最高为 10 pF） 连续短路保护（可选） 通过 IEC/EN62368-1 认证，UL 认证申请中

SiC

开关SiC MOSFET所需的导通电压和关断电压对其他的IGBT或MOSFET应用来说是不常见的。RxxP22005D和RKZ-2005D系列具备+20V和-5V非对称输出，可高效地驱动SiC MOSFET。而RxxP21503D系列提供的+15V和-3V非对称输出，则适用于第二代的SiC MOSFET。

	系列	要点
	RA3	3 W 隔离式 DC/DC 转换器 5.2 kVDC/1 min 的高隔离电压 宽工作温度范围：-40°C 至 +85°C IGBT/Si/SiC/GaN 栅极驱动电源的理想选择 已获得 IEC/EN/UL CSA 62368-1 认证 隔离电容小于 10pF 紧凑型 DIP16 SMD 封装
	RKZ-xx2005	功率共享 每秒 3 kVDC 和 4 kVDC 的高隔离 效率最高可达 87% -40°C 至 +85°C 的宽范围工作温度 通过 UL60950 认证 通过 IEC/EN60950-1 认证
	RxxC2Txx	2w隔离型DC/DC转换器 可编程的非对称输出电压 适用于IGBT/Si/SiC/GaN栅极驱动的偏置电压 3kVAC/1min高隔离 125°C时0.5 w 隔离电容小于3.5pF 紧凑的7.5×12.83mm SMD封装 3年质量保证
	RxxP21503	+20/-5 V 和 +15/-3 V 非对称输出，适用于 SiC 驱动器应用 符合共模电压为 1 KV 时的 65 kV/μs 要求 +15/-9 V 非对称输出，适用于 IGBT 驱动器应用 具有独立绕组的壶形铁芯变压器 6.4 kVDC 高隔离，尺寸紧凑的 SIP7 封装 低隔离电容（最高为 10 pF） 连续短路保护（可选） 通过 IEC/EN62368-1 认证，UL 认证申请中
	RxxP22005	+20/-5 V 和 +15/-3 V 非对称输出，适用于 SiC 驱动器应用 符合共模电压为 1 KV 时的 65 kV/μs 要求 +15/-9 V 非对称输出，适用于 IGBT 驱动器应用 具有独立绕组的壶形铁芯变压器 6.4 kVDC 高隔离，尺寸紧凑的 SIP7 封装 低隔离电容（最高为 10 pF） 连续短路保护（可选） 通过 IEC/EN62368-1 认证，UL 认证申请中

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使用IGBT和SIC MOSFET来设计可靠耐用之晶体管电路
本白皮书分享减少故障原因和简化设计的指南及建议，同时附上应用示例，以帮助您更好地理解。

GaN

高转换速率的GaN晶体管驱动器使用具有高隔离电压和低隔离电容的RECOM RP-xx06S和RxxP06S DC/DC转换器系列，可在+6V达到最佳的切换性能。RECOM考虑到一些有较高噪声和干扰的GaN应用，设计出+9V输出的转换器，通过齐纳二极管将电路分成+6V和-3V以在关断时提供负栅极电压，从而确保栅极电压保持低于开启阈值。

	系列	要点
	RA3	3 W 隔离式 DC/DC 转换器 5.2 kVDC/1 min 的高隔离电压 宽工作温度范围：-40°C 至 +85°C IGBT/Si/SiC/GaN 栅极驱动电源的理想选择 已获得 IEC/EN/UL CSA 62368-1 认证 隔离电容小于 10pF 紧凑型 DIP16 SMD 封装
	RJZ	2 W 单路和双路输出，采用 DIP14 封装 3kVDC/1 s 或 4 kVDC/1 s 隔离电压 连续短路保护（可选） UL94V-0 封装材料 效率最高可达 85% 适用于 IGBT 应用
	RK	3kVDC/1 s 或 4 kVDC/1 s 隔离电压 连续短路保护（可选） UL94V-0 封装材料 效率最高可达 84% 适用于 IGBT 应用
	RP	独立绕组的壶形铁芯变压器 虽然尺寸小巧，但具有高达 5.2 kVDC/1 s 的基本隔离 连续短路保护（可选） 效率最高可达 82% 引脚与 RH 和 RK 系列兼容 适用于 IGBT 应用 通过 IEC/EN/UL/CSA 60950-1 认证
	RP-xx06	6 V 输出，适用于 GaN 驱动器应用 具有独立绕组的壶形铁芯变压器 5.2 kVDC 高隔离，尺寸紧凑 低隔离电容（最高为 10 pF） 通过 UL 和 EN 认证
	RV	通过 UL/CSA/IEC/EN 安全认证并获得 CB 报告 6 kVDC/1 s 隔离电压 连续短路保护（可选） 效率最高可达 82% 节省空间封装 极低的隔离电容 适用于 IGBT 应用
	RxxP06	6 V 输出，适用于 GaN 驱动器应用 具有独立绕组的壶形铁芯变压器 5.2 kVDC 高隔离，尺寸紧凑 低隔离电容（最高为 10 pF） 通过 UL/IEC/EN62368-1、IEC/EN60950-1 认证
	RxxP2xx	符合共模电压为 1 KV 时的 65 kV/μs 要求 隔离电压为 6.4 kVDC 连续短路保护（可选） 独特的变压器系统 紧凑型 SIP7 封装 /X2 型号的输入/输出间隙 > 9 mm 极低的隔离电容
	RxxPxx	通过 UL/CSA 和 IEC/EN 安全认证 6.4 kVDC 高隔离 连续短路保护（可选） /X2 型号的输入/输出间隙 > 9 mm 适用于 IGBT 应用