RVPW015系列

  • 适用于原边反馈(PSR)与副边反馈(SSR)反激、升压、降压拓扑
  • 原边反馈(PSR)最小采样时间低至 0.4μs
  • 兼容连续导通模式(CCM)与断续导通模式(DCM)
  • 集成 132V/0.6Ω LDMOS
  • 集成无损电流采样
  • 可编程峰值电流
  • 可编程功率 MOSFET 驱动速度
  • 可编程输入欠压及过压保护
  • 短路保护、过温保护
  • 线性降低工作频率,优化轻载条件下效率
  • 内置前馈补偿功能
  • 内置软启动与斜坡补偿
  • 内置 CCM/DCM 模式下的原边反馈(PSR)环路控制
  • 直连光耦接口
  • 内置环路补偿及输出二极管压降温度补偿
  • ESOP8 强散热封装

RVPW015 是一款高集成度电源控制芯片,设计用于支持多种电源拓扑,包括反激、升压和降压变换器。它兼容多种输出电压反馈方式,例如副边反馈(SSR)、原边反馈(PSR)以及电阻分压反馈。
芯片支持开关频率高达数百 kHz 的原边反馈(PSR)工作模式。其内部输出电压采样电路可在连续导通模式(CCM)和断续导通模式(DCM)下工作,采样时间窗口短至 400ns。集成的环路补偿电路具有快速动态响应特性,可确保开关电源具备优异的环路稳定性和快速瞬态性能。
RVPW015 集成了多种控制与保护功能,且仅需极少的外围元器件。通过可配置的外接电阻,该芯片可实现灵活的设计方案。单颗电阻即可实现启动、前馈补偿以及内部功率 MOSFET 关断速度的可编程控制。另一颗电阻可用于编程功率 MOSFET 的峰值电流,从而实现无损电流采样。仅需两颗电阻,便可分别设定输入欠压保护(UVP)和输入过压保护(OVP)阈值。
RVPW015 还集成了全面的保护功能,包括过载保护(OLP)、输出短路保护(SCP)、输出过压保护(OVP)以及过温保护(OTP)。当故障条件消除后,芯片可自动恢复,提升系统稳健性并最大化电源可靠性。

特性RVPW015
AC/DC 或 DC/DCIC
输入电压 (V)4-80
主输出电压(V)2 ‐ 999
输出电压(V)2-999
安装类型SMD
封装类型ESOP-8
长度(mm)5.0
宽度(mm)6.2
高度(mm)1.7
最低工作温度 (°C)-40.0
最高工作温度 (°C)125.0
保护功能OCP, OTP, OVP, UVLO
指令Halogen-free, REACH, RoHS 2+ (10/10)
包装类型管装&卷装, 防潮袋
质保1 Year
工作模式Current Mode
pa_outputcurrentmax1800.0
pa_configuration1 Channel
pa_topologyFlyback
pa_minstoragetemperature-55.0
pa_maxstoragetemperature150.0
pa_numberofphases1.0
pa_maxdutycycle80.0
pa_minswitchingfrequency9.0
pa_maxswitchingfrequency330.0
pa_set_functionalfeaturesEnable, Variable Switching Frequency